PCVD

PCVD的全称：(Plasma Asisted Chmical Vapor Deposition)。等离子体增强化学气相沉积 二、原理： PCVD的原理与辉光离子放电等离子体渗氮的原理相似，同样是利用低温等离子体（非平衡等离子体）。工件置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热源）使工件升温到预定温度，然后通入适量的反应气体，经一系列化学反应和等离子体反应，在工件表面形成一层薄膜。它包括了化学气相沉积的一般技术，又有辉光放电的强化作用。 PCVD等离子体增强化学气相沉积设备与等离子体渗氮设备相似，包括：电源、真空炉体、真空获得系统、进气系统、气体净化系统等。它继承了CVD和PVD的优点,克服了缺点。

CVD与PCVD的异同点如下：

1、工件表面超硬化处理方法主要有物li 气相沉积（PVD），化学气相沉积（CVD），物理化学气相沉积（PCVD），扩散法金属碳化物履层技术，其中，CVD法具有膜基结合力好，工艺绕镀性好等突出优点，因此其应用主要集中在硬质合金等材料上。PCVD法的沉积温度低，膜基结合力及工艺绕镀性均较PVD法有较大改进，但与扩散法相比，膜基结合力有较大的差距，PVD法具有沉积温度低，工件变形小的优点，但由于膜层与基体的结合力较差，工艺绕镀性不好，往往难以发挥超硬化合物膜层的性能优势。此外由于PCVD法是等离子体成膜，虽然绕镀性较PVD法有所改善，不过没有办法消除。

2、由扩散法金属碳化物覆层技术形成的金属碳化物覆层，与基体形成冶金结合，具有PVD、PCVD无法比拟的膜基结合力，因此该技术真正能够发挥超硬膜层的性能优势，此外，该技术没有绕镀性问题，后续基体硬化处理方便，并可多次重复处理，使该技术的适用性更加广泛。

3、CVD是在高温远高于临界温度下，产物蒸汽形成过饱和蒸气压，自动凝聚成晶核，在聚集成颗粒，在低温区得到纳米粉体。可以选择条件来控制粉体的大小形状等。对于PCVD，它是利用电弧产生高温，将气体等离子化，然后这些离子逐渐长大聚合，形成超细粉体，该方法反应温度高，升温冷却速率较快。